جدول لایه نشانی مواد | راهنمایی برای انتخاب روش مناسب لایه نشانی

جدول لایه نشانی مواد | راهنمایی برای انتخاب روش مناسب لایه نشانی

جدول لایه نشانی مواد حاوی اطلاعات مفیدی در مورد ویژگی های هر ماده و کارآمدی هر یک از روش های لایه نشانی در خلاء به روش فیزیکی(PVD) در مورد آن ماده می باشد. با بهره گیری از این جدول لایه نشانی مواد می توان بهترین و کارامد ترین روش لایه نشانی فیزیکی را برای رنج وسیعی از عناصر یا ترکیبات به دست آورد. انتخاب روش لایه نشانی صحیح از آن جهت حائز اهمیت است که عناصر، آلیاژها و ترکیبات مختلف ویزگی های فیزیکی و شیمیایی متفاوتی دارند.

برای هر ماده باید اطلاعات جامعی از آن ماده و روش مناسب لایه نشانی وجود داشته باشد تا بتوان به بهترین روش ممکن لایه نشانی را انجام داد. پس برای لایه نشانی یک ماده نمی توان از هر روش لایه نشانی استفاده کرد. به همین علت، جدول لایه نشانی ایجاد شد تا استفاده کنندگان از سیستم های لایه نشانی در خلاء بتوانند بهترین روش برای لایه نشانی هر ماده را انتخاب نمایند. بنابراین، یکی از کارهایی که قبل از لایه نشانی باید انجام شود این است که کاربران سیستم های لایه نشانی در خلاء، به جدول لایه نشانی مراجعه نمایند و از صحیح بودن انتخاب روش لایه نشانی اطمینان حاصل نمایند.

  • دستگاه تبخیر حرارتی | 5 مدل سیستم‌ تبخیر حرارتی و کاربردها

    دستگاه‌ تبخیر حرارتی رومیزی خلاء بالای DTE و DTT، ساخت شرکت پوشش‌های نانوساختار، می‌باشند که قابلیت لایه‌نشانی لایه‌های نازک از مواد مختلف را فراهم می‌آورند.

  • انواع کربن کوتر رومیزی | 6 نوع دستگاه لایه نشان کربن

    شرکت پوشش‌های نانوساختار تولیدکننده دستگاه‌های لایه‌نشان کربن (کربن کوتر) و لایه‌نشان‌های اسپاترینگ و کربن برای مصارف آماده‌سازی نمونه‌ میکروسکوپ الکترونی است.

  • دستگاه اسپاترینگ و انواع مگنترون اسپاتر کوترها

    اسپاتر کوترهای تولید شده توسط پوشش‌های نانوساختار، دستگاه اسپاترینگ پیشرو در حوزه لایه‌نشانی به روش اسپاترینگ در خلاء پایین و بالا برای تولید لایه‌ نازک هستند.

در اینجا جدول لایه نشانی مواد(Material Deposition Table) آورده شده است تا کاربران سیستم های ما به راحتی به این جدول لایه نشانی دسترسی داشته باشند.

راهنمای جدول

  • RF=RF sputtering is effective
  • RF-R=Reactive RF sputter is effective
  • ✝ Magnetic material (requires special sputter source)
  • * Influenced by composition
  • ** The z-ratio is unknown. Therefore, we recommend using 1.00 or an experimentally determined value.
  • *** All metals alumina coated
  • ‡ One run only
  • TE = thermal evaporation method
  • T. @ V.P. = Temprature(°C) for given vapor pressure(Torr)
  • DC = DC sputtering is effective
  • C = Carbon
  • Gr = Graphite
  • Q = Quartz
  • Incl = Inconel®
  • VitC = Vitreous Carbon
  • SS = Stainless Steel
  • Ex = Excellent
  • G = Good
  • F = Fair
  • P = Poor
  • S = Sublimes
  • PDC = Pulsed DC sputtering
  • DC-R = Reactive DC sputtering is effective

جدول لایه نشانی مواد

MaterialSymbolMP (°C)S/DDensity (g/cm3)Z-ratioT. @ V.P. 10^-8T. @ V.P. 10^-6 T. @ V.P. 10^-4E-Beam Performance(E-Beam) Liner Material(TE) Boat(TE) Coil(TE) Basket(TE) CrucibleSputterRemarks
AluminumAl۶۶۰-۲.۷۱.۰۸۶۷۷۸۲۱۱,۰۱۰ExcellentFabmate®, Intermetallic--WTiB2-BN, BNDCAlloys W/Mo/Ta. Flash evap or use BN crucible.
Aluminum AntimonideAlSb۱,۰۸۰-۴.۳----------RF-
Aluminum ArsenideAlAs۱,۶۰۰-۳.۷---~۱,۳۰۰------RF-
Aluminum BromideAlBr3۹۷-۲.۶۴---~۵۰--Mo--Gr--
Aluminum CarbideAl4C3~۱,۴۰۰D۲.۳۶---~۸۰۰Fair-----RF-
Aluminum FluorideAlF3۱,۲۹۱S۲.۸۸-۴۱۰۴۹۰۷۰۰PoorGraphite, Fabmate®Mo, W, Ta--GrRF-
Aluminum NitrideAlN>۲,۲۰۰S۳.۲۶**۱.۰۰--~۱,۷۵۰Fair-----RF-RDecomposes. Reactive evap in 10-3 T N2 with glow discharge.
AluminumAl۶۶۰-۲.۷۱.۰۸۶۷۷۸۲۱۱,۰۱۰ExcellentFabmate®, Intermetallic--WTiB2-BN, BNDCAlloys W/Mo/Ta. Flash evap or use BN crucible.
Aluminum AntimonideAlSb۱,۰۸۰-۴.۳----------RF-
Aluminum ArsenideAlAs۱,۶۰۰-۳.۷---~۱,۳۰۰------RF-
Aluminum BromideAlBr3۹۷-۲.۶۴---~۵۰--Mo--Gr--
Aluminum CarbideAl4C3~۱,۴۰۰D۲.۳۶---~۸۰۰Fair-----RF-
Aluminum FluorideAlF3۱,۲۹۱S۲.۸۸-۴۱۰۴۹۰۷۰۰PoorGraphite, Fabmate®Mo, W, Ta--GrRF-
Aluminum NitrideAlN>۲,۲۰۰S۳.۲۶**۱.۰۰--~۱,۷۵۰Fair-----RF-RDecomposes. Reactive evap in 10-3 T N2 with glow discharge.
Aluminum OxideAl2O3۲,۰۷۲-۳.۹۷۰.۳۳۶--۱,۵۵۰ExcellentFabmate®, TungstenW-W-RF-RSapphire excellent in E-beam; forms smooth, hard films.
Aluminum PhosphideAlP۲,۰۰۰-۲.۴۲----------RF-
Aluminum, 1% CopperAl/Cu 99/1 wt%۶۴۰-۲.۸۲**۱.۰۰---------DCWire feed & flash. Difficult from dual sources.
Aluminum, 1% SiliconAl/Si 99/1 wt %۶۴۰-۲.۶۹**۱.۰۰--۱,۰۱۰-----TiB2-BNRF, DCWire feed & flash. Difficult from dual sources.
AntimonySb۶۳۰S۶.۶۸۰.۷۶۸۲۷۹۳۴۵۴۲۵Poor-Mo*** Ta***Mo, TaMo, TaBN, C, Al2O3RF, DCEvaporates well.
Antimony OxideSb2O3۶۵۶S۵.۲---~۳۰۰Good----BN, Al2O3RF-RDecomposes on W.
Antimony SelenideSb2Se3۶۱۱--------Ta--CRFStoichiometry variable.
Antimony SulfideSb2S3۵۵۰-۴.۶۴---~۲۰۰GoodMolybdenum, TantalumMo, Ta-Mo, TaAl2O3-No decomposition.
Antimony TellurideSb2Te3۶۲۹-۶.۵**۱.۰۰--۶۰۰-----CRFDecomposes over 750°C.
ArsenicAs۸۱۷S۵.۷۳-۱۰۷۱۵۰۲۱۰PoorFabmate®C--Al2O3-Sublimes rapidly at low temp.
Arsenic OxideAs2O3۳۱۲-۳.۷۴------------
Arsenic SelenideAs2Se3~۳۶۰-۴.۷۵---------Al2O3, QRF-
Arsenic SulfideAs2S3۳۰۰-۳.۴۳---~۴۰۰Fair-Mo--Al2O3, QRF-
Arsenic TellurideAs2Te3۳۶۲-۶.۵------Flash----See JVST. 1973, 10:748
BariumBa۷۲۵-۳.۵۱۲.۱۵۴۵۶۲۷۷۳۵Fair-W, Ta, MoWWMetalsRFWets without alloying, reacts with ceramics.
Barium ChlorideBaCl2۹۶۳-۳.۹۲---~۶۵۰--Ta, Mo---RFPreheat gently to outgas.
Barium FluorideBaF2۱,۳۵۵S۴.۸۹۰.۷۹۳--~۷۰۰GoodMolybdenumMo---RF-
Barium OxideBaO۱,۹۱۸-۵.۷۲---~۱,۳۰۰Poor----Al2O3RF, RF-RDecomposes slightly.
Barium SulfideBaS۱,۲۰۰-۴.۲۵---۱,۱۰۰--Mo---RF-
Barium TitanateBaTiO3۱,۶۲۵D۶.۰۲۰.۴۶۴---------RFGives Ba. Co-evap and Sputter OK.
BerylliumBe۱,۲۷۸-۱.۸۵-۷۱۰۸۷۸۱,۰۰۰ExcellentGraphite, Fabmate®W, TaWWCDCWets W/Mo/Ta. Evaporates easily
Beryllium CarbideBe2C>۲,۱۰۰D۱.۹------------
Beryllium ChlorideBeCl2۴۰۵-۱.۹---~۱۵۰------RF-
Beryllium FluorideBeF2۸۰۰S۱.۹۹---~۲۰۰Good-------
Beryllium OxideBeO۲,۵۳۰-۳.۰۱---۱,۹۰۰Good---W-RF, RF-RNo decomposition from E-beam guns.
BismuthBi۲۷۱-۹.۸۰.۷۹۳۳۰۴۱۰۵۲۰ExcellentFabmate®, GraphiteW, Mo, TaWWAl2O3DCResistivity high. Low Melting Point materials not ideal for sputtering.
Bismuth FluorideBiF3۷۲۷S۵.۳۲---~۳۰۰-----GrRF-
Bismuth OxideBi2O3۸۶۰-۸.۵۵**۱.۰۰--~۱,۴۰۰Poor-----RF, RF-R-
Bismuth SelenideBi2Se3۷۱۰D۶.۸۲**۱.۰۰--~۶۵۰Good----Gr, QRFCo-evap from 2 sources or sputter.
Bismuth SulfideBi2S3۶۸۵D۷.۳۹----------RF-
Bismuth TellurideBi2Te3۵۷۳-۷.۷**۱.۰۰--~۶۰۰--W, Mo--Gr, QRFCo-evap from 2 sources or sputter.
Bismuth TitanateBi2Ti2O7۸۷۰D-----------RFSputter or co-evap from 2 sources in 10-2 Torr O2.
BoronB۲,۰۷۹-۲.۳۴۰.۳۸۹۱,۲۷۸۱,۵۴۸۱,۷۹۷ExcellentFabmate®, GraphiteC--CRFExplodes with rapid cooling. Forms carbide with container.
Boron CarbideB4C۲,۳۵۰-۲.۵۲**۱.۰۰۲,۵۰۰۲,۵۸۰۲,۶۵۰ExcellentFabmate®, Graphite----RFSimilar to chromium.
Boron NitrideBN~۳,۰۰۰S۲.۲۵---~۱,۶۰۰Poor-----RF, RF-RDecomposes when sputtered. Reactive preferred.
Boron OxideB2O3~۴۵۰-۱.۸۱---~۱,۴۰۰GoodMolybdenumMo-----
Boron SulfideB2S3۳۱۰-۱.۵۵---۸۰۰-----GrRF-
CadmiumCd۳۲۱-۸.۶۴۰.۶۸۲۶۴۱۲۰۱۸۰Poor-W, Mo, Ta-W, Mo, TaAl2O3, QDC, RFBad for vacuum systems. Low sticking coefficient.
Cadmium AntimonideCd3Sb2۴۵۶-۶.۹۲------------
Cadmium ArsenideCd3As2۷۲۱-۶.۲۱---------QRF-
Cadmium BromideCdBr2۵۶۷-۵.۱۹---~۳۰۰--------
Cadmium ChlorideCdCl2۵۶۸-۴.۰۵---~۴۰۰--------
Cadmium FluorideCdF2۱,۱۰۰-۶.۶۴---~۵۰۰------RF-
Cadmium IodideCdI2۳۸۷-۵.۶۷---~۲۵۰--------
Cadmium OxideCdO>۱,۵۰۰D۶.۹۵---~۵۳۰------RF-RDisproportionates.
Cadmium SelenideCdSe>۱,۳۵۰S۵.۸۱**۱.۰۰--۵۴۰GoodMolybdenum, TantalumMo, Ta--Al2O3, QRFEvaporates easily.
Cadmium SulfideCdS۱,۷۵۰S۴.۸۲۱.۰۲--۵۵۰Fair-W, Mo, Ta-WAl2O3, QRFSticking coefficient affected by substrate.
Cadmium TellurideCdTe۱,۰۹۲-۵.۸۵۰.۹۸--۴۵۰--W, Mo, TaWW, Ta, Mo-RFStoichiometry depends on substrate temp. n~2.6.
CalciumCa۸۳۹S۱.۵۴۲.۶۲۲۷۲۳۵۷۴۵۹Poor-WWWAl2O3, Q-Corrodes in air.
Calcium FluorideCaF2۱,۴۲۳-۳.۱۸۰.۷۷۵--~۱,۱۰۰--W, Mo, TaW, Mo, TaW, Mo, TaQRFRate control important. Preheat gently to outgas.
Calcium OxideCaO۲,۶۱۴-~۳.۳---~۱,۷۰۰--W, Mo--ZrO2RF-RForms volatile oxides with W/Mo.
Calcium SilicateCaSiO3۱,۵۴۰-۲.۹۱----Good----QRF-
Calcium SulfideCaS۲,۵۲۵D۲.۵---۱,۱۰۰--Mo---RFDecomposes.
Calcium TitanateCaTiO3۱,۹۷۵-۴.۱-۱,۴۹۰۱,۶۰۰۱,۶۹۰Poor-----RFDisproportionates except in sputtering.
Calcium TungstateCaWO4۱,۲۰۰-۶.۰۶----Good-W---RF-
CarbonC~۳,۶۵۲S۱.۸–۲.۱۳.۲۶۱,۶۵۷۱,۸۶۷۲,۱۳۷ExcellentFabmate®, Graphite----PDCE-beam preferred. Arc evaporation. Poor film adhesion.
CeriumCe۷۹۸-~۶.۷۰**۱.۰۰۹۷۰۱,۱۵۰۱,۳۸۰Good-W, TaWW, TaAl2O3DC, RF-
Cerium (III) OxideCe2O3۱,۶۹۲-۶.۸۶----Fair-W----Alloys with source. Use 0.015"–۰.۰۲۰" W boat.
Cerium (IV) OxideCeO2~۲,۶۰۰-۷.۱۳**۱.۰۰۱,۸۹۰۲,۰۰۰۲,۳۱۰GoodTantalum, Graphite, Fabmate®W---RF, RF-RVery little decomposition.
Cerium FluorideCeF3۱,۴۶۰-۶.۱۶**۱.۰۰--~۹۰۰GoodTungsten, Tantalum, MolybdenumW, Mo, Ta-Mo, Ta-RFPreheat gently to outgas. n~1.7.
CesiumCs۲۸-۱.۸۸--۱۶۲۲۸۰-----Q--
Cesium BromideCsBr۶۳۶-۳.۰۴---~۴۰۰--W---RF-
Cesium ChlorideCsCl۶۴۵-۳.۹۹---~۵۰۰--W---RF-
Cesium FluorideCsF۶۸۲-۴.۱۲---~۵۰۰--W---RF-
Cesium HydroxideCsOH۲۷۲-۳.۶۸---۵۵۰--------
Cesium IodideCsI۶۲۶-۴.۵۱---~۵۰۰--W--QRF-
ChioliteNa5Al3F14۷۳۵-۲.۹---~۸۰۰--Mo, W---RF-
ChromiumCr۱,۸۵۷S۷.۲۰.۳۰۵۸۳۷۹۷۷۱,۱۵۷GoodFabmate®, Graphite, TungstenCr Plated W RodsWWVitCDCFilms very adherent. High rates possible.
Chromium BorideCrB۱,۹۵۰-۲,۰۵۰-۶.۱۷----------RF-
Chromium (II) BromideCrBr2۸۴۲-۴.۳۶---۵۵۰------RF-
Chromium CarbideCr3C2۱,۸۹۵-۶.۶۸---~۲,۰۰۰Fair-W---RF-
Chromium ChlorideCrCl2۸۲۴-۲.۸۸---۵۵۰--Fe---RF-
Chromium OxideCr2O3۲,۲۶۶-۵.۲۱**۱.۰۰--~۲,۰۰۰Good-W, Mo-W-RF, RF-RDisproportionates to lower oxides; reoxidizes at 600°C in air.
Chromium SilicideCrSi2۱,۴۹۰-۵.۵----------RF-
Chromium-Silicon MonoxideCr-SiO-S*-***Good-W-W-RFFlash evaporate.
Cobalt †Co۱,۴۹۵-۸.۹۰.۳۴۳۸۵۰۹۹۰۱,۲۰۰ExcellentDirect in HearthW, Nb-WAl2O3DCAlloys with W/Ta/Mo.
Cobalt BromideCoBr2۶۷۸D۴.۹۱---۴۰۰------RF-
Cobalt ChlorideCoCl2۷۲۴D۳.۳۶---۴۷۲------RF-
Cobalt OxideCoO۱,۷۹۵-۶.۴۵۰.۴۱۲---------DC-R, RF-RSputtering preferred.
CopperCu۱,۰۸۳-۸.۹۲۰.۴۳۷۷۲۷۸۵۷۱,۰۱۷ExcellentGraphite, MolybdenumMoWWAl2O3, Mo, TaDCAdhesion poor. Use interlayer (Cr). Evaporates using any source material.
Copper ChlorideCuCl۴۳۰-۴.۱۴---~۶۰۰------RF-
Copper OxideCu2O۱,۲۳۵S۶**۱.۰۰--~۶۰۰GoodGraphite, Fabmate®, TantalumTa--Al2O3DC-R, RF-R-
Copper SulfideCu2S۱,۱۰۰-۵.۶------------
CryoliteNa3AlF6۱,۰۰۰-۲.۹-۱,۰۲۰۱,۲۶۰۱,۴۸۰ExcellentFabmate®, TungstenW, Mo, Ta-W, Mo, TaVitCRFLarge chunks reduce spitting. Little decomposition.
DysprosiumDy۱,۴۱۲-۸.۵۵۰.۶۶۲۵۷۵۰۹۰۰GoodDirect in HearthTa---DC-
Dysprosium FluorideDyF3۱,۳۶۰S----~۸۰۰Good-Ta---RF-
Dysprosium OxideDy2O3۲,۳۴۰-۷.۸۱---~۱,۴۰۰------RF, RF-RLoses oxygen.
ErbiumEr۱,۵۲۹S۹.۰۷۰.۷۴۶۵۰۷۷۵۹۳۰GoodTungsten, TantalumW, Ta---DC-
Erbium FluorideErF3۱,۳۵۰-۷.۸۲---~۷۵۰--Mo---RFSee JVST. 1985; A3(6):2320.
Erbium OxideEr2O3۲,۳۵۰-۸.۶۴**۱.۰۰--~۱,۶۰۰------RF, RF-RLoses oxygen.
EuropiumEu۸۲۲S۵.۲۴**۱.۰۰۲۸۰۳۶۰۴۸۰Fair-W, Ta--Al2O3DCLow Ta solubility.
Europium FluorideEuF2۱,۳۸۰-۶.۵---~۹۵۰--Mo---RF-
Europium OxideEu2O3۲,۳۵۰-۷.۴۲---~۱,۶۰۰Good-Ta, W--ThO2RF, RF-RLoses oxygen. Films clear and hard.
Europium SulfideEuS--۵.۷۵----Good-----RF-
Gadolinium †Gd۱,۳۱۳-۷.۹۰.۶۷۷۶۰۹۰۰۱,۱۷۵ExcellentDirect in HearthTa--Al2O3DCHigh Ta solubility
Gadolinium CarbideGdC2------۱,۵۰۰-----CRFDecomposes under sputtering.
Gadolinium OxideGd2O3۲,۳۳۰-۷.۴۱----Fair-----RF, RF-RLoses oxygen.
GalliumGa۳۰-۵.۹-۶۱۹۷۴۲۹۰۷GoodFabmate®---Al2O3, Q-Alloys with W/Ta/Mo. Use E-beam gun. Low Melting Point materials not ideal for sputtering.
Gallium AntimonideGaSb۷۱۰-۵.۶----Fair-W, Ta---RFFlash evaporate.
Gallium ArsenideGaAs۱,۲۳۸-۵.۳----GoodGraphite, Fabmate®W, Ta--CRFFlash evaporate.
Gallium NitrideGaN۸۰۰S۶.۱---~۲۰۰-----Al2O3RF, RF-REvaporate Ga in 10-3 Torr N2.
Gallium OxideGa2O3۱,۹۰۰-۶.۴۴------W---RFLoses oxygen.
Gallium PhosphideGaP۱,۵۴۰-۴.۱--۷۷۰۹۲۰--W, Ta-WQRFDoes not decompose. Rate control important.
GermaniumGe۹۳۷-۵.۳۵۰.۵۱۶۸۱۲۹۵۷۱,۱۶۷ExcellentFabmate®, GraphiteW, C, Ta--Q, Al2O3DCExcellent films from E-beam.
Germanium (II) OxideGeO۷۰۰S----۵۰۰-----QRF-
Germanium (III) OxideGeO2۱,۰۸۶-۶.۲۴---~۶۲۵GoodFabmate®, Tantalum, MolybdenumTa, Mo-W, MoQ, Al2O3RF-RSimilar to SiO; film predominantly GeO.
Germanium NitrideGe3N2۴۵۰S۵.۲---~۶۵۰------RF-RSputtering preferred.
Germanium TellurideGeTe۷۲۵-۶.۲---۳۸۱--W, Mo-WQ, Al2O3RF-
Glass, Schott® ۸۳۲۹—۱,۳۰۰-۲.۲----Excellent-----RFEvaporable alkali glass. Melt in air before evaporating.
GoldAu۱,۰۶۴-۱۹.۳۲۰.۳۸۱۸۰۷۹۴۷۱,۱۳۲ExcellentFabmate®, TungstenW*** Mo*** W--Al2O3, BNDCFilms soft; not very adherent.
HafniumHf۲,۲۲۷-۱۳.۳۱۰.۳۶۲,۱۶۰۲,۲۵۰۳,۰۹۰Good-----DC-
Hafnium BorideHfB2۳,۲۵۰-۱۰.۵----------DC, RF-
Hafnium CarbideHfC~۳,۸۹۰S۱۲.۲**۱.۰۰--~۲,۶۰۰------RF-
Hafnium NitrideHfN۳,۳۰۵-۱۳.۸**۱.۰۰---------RF, RF-R-
Hafnium OxideHfO2۲,۷۵۸-۹.۶۸**۱.۰۰--~۲,۵۰۰FairDirect in Hearth----RF, RF-RFilm HfO.
Hafnium SilicideHfSi2۱,۷۵۰-۷.۲----------RF-
HolmiumHo۱,۴۷۴-۸.۸۰.۵۸۶۵۰۷۷۰۹۵۰Good-W, TaWW---
Holmium FluorideHoF3۱,۱۴۳-۷.۶۸---~۸۰۰-----QDC, RF-
Holmium OxideHo2O3۲,۳۷۰-۸.۴۱----------RF, RF-RLoses oxygen.
Inconel®Ni/Cr/Fe۱,۴۲۵-۸.۵----GoodFabmate®, TungstenWWW-DCUse fine wire wrapped on W. Low rate required for smooth films.
IndiumIn۱۵۷-۷.۳۰.۸۴۱۴۸۷۵۹۷۷۴۲ExcellentFabmate®, Graphite, MolybdenumW, Mo-WGr, Al2O3DCWets W and Cu. Use Mo liner. Low Melting Point materials not ideal for sputtering.
Indium (I) OxideIn2O~۶۰۰S۶.۹۹---۶۵۰------RFDecomposes under sputtering.
Indium (III) OxideIn2O3۸۵۰-۷.۱۸**۱.۰۰--~۱,۲۰۰Good-W, Pt--Al2O3--
Indium (I) SulfideIn2S۶۵۳-۵.۸۷---۶۵۰-----GrRF-
Indium (II) SulfideInS۶۹۲S۵.۱۸---۶۵۰-----GrRF-
Indium (III) SulfideIn2S3۱,۰۵۰S۴.۹---۸۵۰-----GrRFFilm In2S.
Indium (II) TellurideInTe۶۹۶-۶.۲۹------------
Indium (III) TellurideIn2Te3۶۶۷-۵.۷۸----------RFSputtering preferred; or co-evaporate from 2 sources; flash.
Indium AntimonideInSb۵۳۵-۵.۸------W---RFDecomposes. Sputtering preferred; or co-evaporate.
Indium ArsenideInAs۹۴۳-۵.۷-۷۸۰۸۷۰۹۷۰--W---RF-
Indium NitrideInN۱,۲۰۰-۷------------
Indium PhosphideInP۱,۰۷۰-۴.۸--۶۳۰۷۳۰--W, Ta-W, TaGrRFDeposits are P rich.
Indium SelenideIn2Se3۸۹۰-۵.۶۷----------RFSputtering preferred; or co-evaporate from 2 sources; flash.
Indium Tin OxideIn2O3/SnO2 90/10 wt %۱,۸۰۰S------Fabmate®, Graphite----RF, DC-
IridiumIr۲,۴۱۰-۲۲.۴۲۰.۱۲۹۱,۸۵۰۲,۰۸۰۲,۳۸۰Fair-----DC-
Iron †Fe۱,۵۳۵-۷.۸۶۰.۳۴۹۸۵۸۹۹۸۱,۱۸۰ExcellentFabmate®‡WWWAl2O3DCAttacks W. Films hard, smooth. Preheat gently to outgas.
Iron (II) OxideFeO۱,۳۶۹-۵.۷----Poor-----RF, RF-RDecomposes; sputtering preferred.
Iron (III) OxideFe2O3۱,۵۶۵-۵.۲۴**۱.۰۰---Good-W-W--Disproportionate to Fe3O4 at 1,530°C.
Iron Bromide۲-Feb۶۸۴D۴.۶۴---۵۶۱-----FeRF-
Iron ChlorideFeCl2۶۷۰S۳.۱۶---۳۰۰-----FeRF-
Iron IodideFeI2--۵.۳۲---۴۰۰-----FeRF-
Iron SulfideFeS۱,۱۹۳D۴.۷۴---------Al2O3RFDecomposes
KanthalFeCrAl--۷.۱------WWW-DC-
LanthanumLa۹۲۱-۶.۱۵۰.۹۲۹۹۰۱,۲۱۲۱,۳۸۸ExcellentTungsten, TantalumW, Ta--Al2O3RFFilms will burn in air if scraped.
Lanthanum BorideLaB6۲,۲۱۰D۲.۶۱**۱.۰۰---Good-----RF-
Lanthanum BromideLaBr3۷۸۳-۵.۰۶--------Ta-RFHygroscopic.
Lanthanum FluorideLaF3۱,۴۹۰S~۶.۰---۹۰۰GoodTantalum, MolybdenumTa, Mo-Ta-RFNo decomposition. n~1.6.
Lanthanum OxideLa2O3۲,۳۰۷-۶.۵۱**۱.۰۰--۱,۴۰۰GoodGraphite, Fabmate®, TungstenW, Ta---RFLoses oxygen. n~1.73.
LeadPb۳۲۸-۱۱.۳۴۱.۱۳۳۴۲۴۲۷۴۹۷ExcellentFabmate®W, MoWW, TaAl2O3, QDC-
Lead BromidePbBr2۳۷۳-۶.۶۶---~۳۰۰--------
Lead ChloridePbCl2۵۰۱-۵.۸۵---~۳۲۵-----Al2O3RFLittle decomposition.
Lead FluoridePbF2۸۵۵S۸.۲۴---~۴۰۰--W, Mo--BeORF-
Lead IodidePbI2۴۰۲-۶.۱۶---~۵۰۰-----Q--
Lead OxidePbO۸۸۶-۹.۵۳---~۵۵۰-----Q, Al2O3RF-RNo decomposition. n~2.6.
Lead SelenidePbSe۱,۰۶۵S۸.۱---~۵۰۰--W, Mo-WGr, Al2O3RF-
Lead StannatePbSnO3۱,۱۱۵-۸.۱-۶۷۰۷۸۰۹۰۵Poor----Al2O3RFDisproportionates.
Lead SulfidePbS۱,۱۱۴S۷.۵---۵۰۰--W-W, MoQ, Al2O3RFLittle decomposition.
Lead TelluridePbTe۹۱۷-۸.۱۶۰.۶۵۱۷۸۰۹۱۰۱,۰۵۰--Mo, Pt, Ta--Al2O3, GrRFDeposits are Ta rich. Sputtering preferred.
Lead TitanatePbTiO3--۷.۵۲۱.۱۶-----Ta---RF-
LithiumLi۱۸۱-۰.۵۳۵.۹۲۲۷۳۰۷۴۰۷GoodTantalumTa--Al2O3-Metal reacts quickly in air.
Lithium BromideLiBr۵۵۰-۳.۴۶---~۵۰۰--Ni---RF-
Lithium ChlorideLiCl۶۰۵-۲.۰۷---۴۰۰--Ni---RFPreheat gently to outgas.
Lithium FluorideLiF۸۴۵-۲.۶۴۰.۷۷۸۸۷۵۱,۰۲۰۱,۱۸۰GoodTantalum, Tungsten, MolybdenumNi, Ta, Mo, W--Al2O3RFRate control important for optical films. Preheat gently to outgas.
Lithium IodideLiI۴۴۹-۴.۰۸---۴۰۰--Mo, W---RF-
Lithium NiobateLiNbO3---۰.۴۶۳-----------
Lithium OxideLi2O>۱,۷۰۰-۲.۰۱---۸۵۰------RF-
LutetiumLu۱,۶۶۳-۹.۸۴---۱,۳۰۰ExcellentDirect in HearthTa--Al2O3RF, DC-
Lutetium OxideLu2O3--۹.۴۲---۱,۴۰۰------RFDecomposes.
MagnesiumMg۶۴۹S۱.۷۴۱.۶۱۱۸۵۲۴۷۳۲۷GoodFabmate®, Graphite, TungstenW, Mo, Ta, CbWWAl2O3DCExtremely high rates possible.
Magnesium AluminateMgAl2O4۲,۱۳۵-۳.۶----Good-----RFNatural spinel.
Magnesium BromideMgBr2۷۰۰-۳.۷۲---~۴۵۰--Ni---RFDecomposes.
Magnesium ChlorideMgCl2۷۱۴-۲.۳۲---۴۰۰--Ni---RFDecomposes.
Magnesium FluorideMgF2۱,۲۶۱-۲.۹–۳.۲۰.۶۳۷--۱,۰۰۰ExcellentFabmate®, Graphite, MolybdenumMo, Ta--Al2O3RFSubstrate temp and rate control important. Reacts with W. Mo OK.
Magnesium IodideMgI2<637D۴.۴۳---۲۰۰------RF-
Magnesium OxideMgO۲,۸۵۲-۳.۵۸۰.۴۱۱--۱,۳۰۰GoodFabmate®, Graphite---C, Al2O3RF, RF-REvaporates in 10-3 Torr O2 for stoichiometry.
ManganeseMn۱,۲۴۴S۷.۲۰.۳۷۷۵۰۷۵۷۲۶۴۷GoodTungstenW, Ta, MoWWAl2O3DC-
Manganese (II) OxideMnO۱۹۴۵-۵.۳۷------------
Manganese (III) OxideMn2O3۱,۰۸۰-۴.۵۰.۴۶۷-----------
Manganese (IV) OxideMnO2۵۳۵-۵.۰۳----Poor-W-W-RF-RLoses oxygen at 535°C.
Manganese BromideMnBr2-D۴.۳۹---۵۰۰------RF-
Manganese ChlorideMnCl2۶۵۰-۲.۹۸---۴۵۰------RF-
Manganese SulfideMnS-D۳.۹۹---۱,۳۰۰--Mo---RFDecomposes.
MercuryHg-۳۹-۱۳.۵۵--۶۸-۴۲-۶--------
Mercury SulfideHgS۵۸۴S۸.۱---۲۵۰-----Al2O3RFDecomposes.
MolybdenumMo۲,۶۱۷-۱۰.۲۰.۲۵۷۱,۵۹۲۱,۸۲۲۲,۱۱۷ExcellentFabmate®, Graphite----DCFilms smooth, hard. Careful degas required.
Molybdenum BorideMoB2۲,۱۰۰-۷.۱۲----Poor-----RF-
Molybdenum CarbideMo2C۲,۶۸۷-۸.۹**۱.۰۰---Fair-----RFEvaporation of Mo(CO)6 yields Mo2C.
Molybdenum SulfideMoS2۱,۱۸۵-۴.۸**۱.۰۰--~۵۰------RF-
Molybdenum OxideMoO3۷۹۵S۴.۶۹**۱.۰۰--~۹۰۰--Mo-MoAl2O3, BNRFSlight oxygen loss.
Molybdenum SilicideMoSi2۲,۰۵۰-۶.۳۱**۱.۰۰-----W---RFDecomposes.
NeodymiumNd۱,۰۲۱-۷.۰۱**۱.۰۰۷۳۱۸۷۱۱,۰۶۲ExcellentTantalumTa--Al2O3DCLow W solubility.
Neodymium FluorideNdF3۱,۴۱۰-۶.۵---~۹۰۰GoodTungsten, MolybdenumMo, W-Mo, TaAl2O3RFVery little decomposition.
Neodymium OxideNd2O3~۱,۹۰۰-۷.۲۴---~۱,۴۰۰GoodTantalum, TungstenTa, W--ThO2RF, RF-RLoses oxygen; films clear. E-beam preferred.
Nichrome IV® †Ni/Cr۱,۳۹۵-۸.۵**۱.۰۰۸۴۷۹۸۷۱,۲۱۷ExcellentFabmate®***WW, TaAl2O3DCAlloys with W/Ta/Mo.
Nickel †Ni۱,۴۵۳-۸.۹۰.۳۳۱۹۲۷۱,۰۷۲۱,۲۶۲ExcellentFabmate®‡W***--Al2O3DCAlloys with W/Ta/Mo. Smooth adherent films.
Nickel BromideNiBr2۹۶۳S۵.۱---۳۶۲------RF-
Nickel ChlorideNiCl2۱,۰۰۱S۳.۵۵---۴۴۴------RF-
Nickel OxideNiO۱,۹۸۴-۶.۶۷**۱.۰۰--~۱,۴۷۰-----Al2O3RF-RDissociates on heating.
Nickel/Iron †Ni/Fe---**۱.۰۰----Fabmate®‡,------
Nimendium †Ni3%Mn۱,۴۲۵-۸.۸----------DC-
NiobiumNb۲,۴۶۸-۸.۵۷۰.۴۹۲۱,۷۲۸۱,۹۷۷۲,۲۸۷ExcellentFabmate®----DCAttacks W source.
Niobium (II) OxideNbO--۷.۳---۱,۱۰۰------RF-
Niobium (III) OxideNb2O3۱,۷۸۰-۷.۵------W-W-RF, RF-R-
Niobium (V) OxideNb2O5۱,۴۸۵-۴.۴۷**۱.۰۰-----W-W-RF, RF-R-
Niobium BorideNbB2۲,۹۰۰-۶.۹۷----------RF-
Niobium CarbideNbC۳,۵۰۰-۷.۶**۱.۰۰---Fair-----RF-
Niobium NitrideNbN۲,۵۷۳-۸.۴**۱.۰۰---------RF, RF-RReactive. Evaporates Nb in 10-3 Torr N2.
Niobium TellurideNbTe2--۷.۶----------RFComposition variable.
Niobium-TinNb3Sn-------Excellent-----DCCo-evaporate from 2 sources.
OsmiumOs۳,۰۴۵-۲۲.۴۸-۲,۱۷۰۲,۴۳۰۲,۷۶۰Fair-----DC-
Osmium OxideOs2O3-D------------Deposits Os in 10-3 Torr O2.
PalladiumPd۱,۵۵۴S۱۲.۰۲۰.۳۵۷۸۴۲۹۹۲۱,۱۹۲ExcellentFabmate®, Graphite, TungstenW***WWAl2O3DCAlloys with refractory metals.
Palladium OxidePdO۸۷۰-۹.۷---۵۷۵-----Al2O3RF-RDecomposes.
ParyleneC8H8۳۰۰–۴۰۰-۱.۱-----------Vapor-depositable plastic.
Permalloy® †Ni/Fe/Mo/Mn۱,۳۹۵-۸.۷**۱.۰۰۹۴۷۱,۰۴۷۱,۳۰۷GoodFabmate®‡W--Al2O3DCFilm low in Ni.
PhosphorusP۴۴.۱-۱.۸۲-۳۲۷۳۶۱۴۰۲-----Al2O3-Material reacts violently in air.
Phosphorus NitrideP3N5--۲.۵۱----------RF, RF-R-
PlatinumPt۱,۷۷۲-۲۱.۴۵۰.۲۴۵۱,۲۹۲۱,۴۹۲۱,۷۴۷ExcellentFabmate®, GraphiteWWWCDCAlloys with metals. Films soft, poor adhesion.
Platinum OxidePtO2۴۵۰-۱۰.۲----------RF-RE-beam preferred for evaporation.
PlutoniumPu۶۴۱-۱۹.۸۴------W-----
PoloniumPo۲۵۴-۹.۴-۱۱۷۱۷۰۲۴۴-----Q--
PotassiumK۶۳-۰.۸۶-۲۳۶۰۱۲۵--Mo--Q-Metal reacts rapidly in air. Preheat gently to outgas.
Potassium BromideKBr۷۳۴-۲.۷۵---~۴۵۰--Ta, Mo--QRFPreheat gently to outgas.
Potassium ChlorideKCl۷۷۰S۱.۹۸---۵۱۰GoodTantalumTa, Ni---RFPreheat gently to outgas.
Potassium FluorideKF۸۵۸-۲.۴۸---~۵۰۰-----QRFPreheat gently to outgas.
Potassium HydroxideKOH۳۶۰-۲.۰۴---~۴۰۰-------Preheat gently to outgas.
Potassium IodideKI۶۸۱-۳.۱۳---~۵۰۰--Ta---RFPreheat gently to outgas.
PraseodymiumPr۹۳۱-۶.۷۷**۱.۰۰۸۰۰۹۵۰۱,۱۵۰Good-Ta---DC-
Praseodymium OxidePr2O3-D۷.۰۷---۱,۴۰۰Good----ThO2RF, RF-RLoses oxygen.
PTFEPTFE۳۳۰-۲.۹------W---RFBaffled source. Film structure doubtful.
RadiumRa۷۰۰-۵ (?)-۲۴۶۳۲۰۴۱۶--------
RheniumRe۳,۱۸۰-۲۰.۵۳۰.۱۵۱,۹۲۸۲,۲۰۷۲,۵۷۱Poor-----DC-
Rhenium OxideReO3-D~۷----------RFEvaporate Re in 10-3 Torr O2.
RhodiumRh۱,۹۶۶-۱۲.۴۰.۲۱۱,۲۷۷۱,۴۷۲۱,۷۰۷GoodFabmate®, TungstenWWWThO2, VitCDCE-beam gun preferred.
RubidiumRb۳۹-۱.۴۸--۳۳۷۱۱۱-----Q--
Rubidium ChlorideRbCl۷۱۸-۲.۰۹---~۵۵۰-----QRF-
Rubidium IodideRbI۶۴۷-۳.۵۵---~۴۰۰-----QRF-
RutheniumRu۲,۳۱۰-۱۲.۳۰.۱۸۲۱,۷۸۰۱,۹۹۰۲,۲۶۰Poor-----DC-
SamariumSm۱,۰۷۴-۷.۵۲۰.۸۹۳۷۳۴۶۰۵۷۳Good-Ta--Al2O3DC-
Samarium OxideSm2O3۲,۳۵۰-۸.۳۵----Good----ThO2RF, RF-RLoses oxygen. Films smooth, clear.
Samarium SulfideSm2S3۱,۹۰۰-۵.۷۳----Good-------
ScandiumSc۱,۵۴۱-۲.۹۹۰.۹۱۷۱۴۸۳۷۱,۰۰۲ExcellentTungsten, MolybdenumW--Al2O3RFAlloys with Ta.
Scandium OxideSc2O3۲,۳۰۰-۳.۸۶---~۴۰۰Fair-----RF, RF-R-
SeleniumSe۲۱۷-۴.۸۱۰.۸۶۴۸۹۱۲۵۱۷۰GoodFabmate®, Tungsten, MolybdenumW, MoW, MoW, MoAl2O3-Bad for vacuum systems. High V.P. Low Melting Point materials not ideal for sputtering.
SiliconSi۱,۴۱۰-۲.۳۲۰.۷۱۲۹۹۲۱,۱۴۷۱,۳۳۷FairFabmate®‡, Tantalum----RFAlloys with W; use heavy W boat. SiO produced.
Silicon (II) OxideSiO>۱,۷۰۲S۲.۱۳۰.۸۷--۸۵۰FairFabmate®, Tungsten, TantalumTaWWTaRF, RF-RFor resistance evaporation, use baffle box and low rate.
Silicon (IV) OxideSiO2۱,۶۱۰-~۲.۶۵**۱.۰۰**۱,۰۲۵*ExcellentFabmate®, Graphite, Tantalum---Al2O3RFQuartz excellent in E-beam.
Silicon (N-type)Si (N-type)۱,۴۱۰-۲.۳۲۰.۷۱۲۹۹۲۱,۱۴۷۱,۳۳۷FairFabmate®‡, Tantalum----DC, RF-
Silicon (P-type)Si (P-type)۱,۴۱۰-۲.۳۲۰.۷۱۲۹۹۲۱,۱۴۷۱,۳۳۷FairFabmate®‡, Tantalum----DC, RF-
Silicon BorideSiB6-------Poor-----RF-
Silicon CarbideSiC~۲,۷۰۰S, D۳.۲۲**۱.۰۰--۱,۰۰۰------RFSputtering preferred.
Silicon NitrideSi3N4۱,۹۰۰-۳.۴۴**۱.۰۰--~۸۰۰------RF, RF-R-
Silicon SelenideSiSe------۵۵۰-----QRF-
Silicon SulfideSiS۹۴۰S۱.۸۵---۴۵۰-----QRF-
Silicon TellurideSiTe2--۴.۳۹---۵۵۰-----QRF-
SilverAg۹۶۲-۱۰.۵۰.۵۲۹۸۴۷۹۵۸۱,۱۰۵ExcellentFabmate®, Tungsten, Molybdenum, TantalumWMoTa, MoAl2O3, WDC-
Silver BromideAgBr۴۳۲D۶.۴۷---~۳۸۰--Ta--QRF-
Silver ChlorideAgCl۴۵۵-۵.۵۶---~۵۲۰--Mo-MoQRF-
Silver IodideAgI۵۵۸-۶.۰۱---~۵۰۰--Ta---RF-
SodiumNa۹۸-۰.۹۷-۷۴۱۲۴۱۹۲--Ta--Q-Preheat gently to outgas. Metal reacts quickly in air.
Sodium BromideNaBr۷۴۷-۳.۲---~۴۰۰-----QRFPreheat gently to outgas.
Sodium ChlorideNaCl۸۰۱-۲.۱۷---۵۳۰Good-Ta, W, Mo--QRFCopper oven; little decomposition. Preheat gently to outgas.
Sodium CyanideNaCN۵۶۴-----~۵۵۰------RFPreheat gently to outgas.
Sodium FluorideNaF۹۹۳-۲.۵۶---~۱,۰۰۰GoodTungsten, Fabmate®Mo, Ta, W--BeORFPreheat gently to outgas. No decomposition.
Sodium HydroxideNaOH۳۱۸-۲.۱۳---~۴۷۰-------Preheat gently to outgas.
SpinelMgAI2O4--۸----Good-----RF-
StrontiumSr۷۶۹-۲.۶**۱.۰۰۲۳۹۳۰۹۴۰۳Poor-W, Ta, MoWWVitCRFWets but does not alloy with W/Ta/Mo. May react in air.
Strontium ChlorideSrCl2۸۷۵-۳.۰۵------------
Strontium FluorideSrF2۱,۴۷۳-۴.۲۴---~۱,۰۰۰-----Al2O3RF-
Strontium OxideSrO۲,۴۳۰S۴.۷---۱,۵۰۰--Mo--Al2O3RFReacts with W/Mo.
Strontium SulfideSrS>۲,۰۰۰-۳.۷------Mo---RFDecomposes.
Strontium TitanateSrTiO3---۰.۳۱-----------
SulfurS۱۱۳-۲.۰۷-۱۳۱۹۵۷Poor-W-WQ-Bad for vacuum systems.
Supermalloy® †Ni/Fe/Mo۱,۴۱۰-۸.۹----GoodFabmate®‡,----DCSputtering preferred; or co-evaporate from 2 sources-Ni/Fe and Mo.
TantalumTa۲,۹۹۶-۱۶.۶۰.۲۶۲۱,۹۶۰۲,۲۴۰۲,۵۹۰ExcellentFabmate®, Graphite----DCForms good films.
Tantalum BorideTaB2۳,۰۰۰(?)-۱۱.۱۵----------RF-
Tantalum CarbideTaC۳,۸۸۰-۱۳.۹**۱.۰۰--~۲,۵۰۰------RF-
Tantalum NitrideTaN۳,۳۶۰-۱۶.۳**۱.۰۰---------RF, RF-REvaporate Ta in 10-3 Torr N2.
Tantalum PentoxideTa2O5۱,۸۷۲-۸.۲۰.۳۱,۵۵۰۱,۷۸۰۱,۹۲۰GoodFabmate®, TantalumTaWWVitCRF, RF-RSlight decomposition. Evaporate Ta in 10-3 Torr O2.
Tantalum SulfideTaS2>۱,۳۰۰------------RF-
TechnetiumTc۲,۲۰۰-۱۱.۵-۱,۵۷۰۱,۸۰۰۲,۰۹۰--------
TelluriumTe۴۴۹-۶.۲۵۰.۹۱۵۷۲۰۷۲۷۷PoorFabmate®W, TaWW, TaAl2O3, QRFWets without alloying.
TerbiumTb۱,۳۵۶-۸.۲۳۰.۶۶۸۰۰۹۵۰۱,۱۵۰ExcellentGraphite, Fabmate®, TantalumTa--Al2O3RF-
Terbium FluorideTbF3۱,۱۷۲-----~۸۰۰------RF-
Terbium OxideTb2O3۲,۳۸۷-۷.۸۷---۱,۳۰۰------RFPartially decomposes.
Terbium PeroxideTb4O7-D-------Ta---RFFilms TbO.
ThalliumTl۳۰۴-۱۱.۸۵-۲۸۰۳۶۰۴۷۰PoorFabmate®W, Ta-WAl2O3, QDCWets freely.
Thallium BromideTlBr۴۸۰S۷.۵۶---~۲۵۰--Ta--QRF-
Thallium ChlorideTlCl۴۳۰S۷---~۱۵۰--Ta--QRF-
Thallium IodideTlI۴۴۰S۷.۱---~۲۵۰-----QRF-
Thallium OxideTl2O2۷۱۷-۱۰.۱۹---۳۵۰------RFDisproportionates at 850°C to Tl2O.
ThoriumTh۱,۷۵۰-۱۱.۷-۱,۴۳۰۱,۶۶۰۱,۹۲۵ExcellentMolybdenum, Tantalum, TungstenW, Ta, MoWW---
Thorium BromideThBr4۶۱۰S۵.۶۷------Mo-----
Thorium CarbideThC2۲,۶۵۵-۸.۹۶---~۲,۳۰۰-----CRF-
Thorium FluorideThF4>۹۰۰-۶.۳۲---~۷۵۰Fair-Mo-WVitCRF-
Thorium OxideThO2۳,۲۲۰-۹.۸۶---~۲,۱۰۰GoodTungsten----RF, RF-R-
Thorium OxyfluorideThOF2۹۰۰-۹.۱------Mo, Ta-----
Thorium SulfideThS2۱,۹۲۵-۷.۳----------RFSputtering preferred; or co-evaporate from 2 sources.
ThuliumTm۱,۵۴۵S۹.۳۲-۴۶۱۵۵۴۶۸۰Good-Ta--Al2O3DC-
Thulium OxideTm2O3--۸.۹---۱,۵۰۰------RFDecomposes.
TinSn۲۳۲-۷.۲۸۰.۷۲۴۶۸۲۸۰۷۹۹۷ExcellentFabmate®, TantalumMoWWAl2O3DCWets Mo low sputter power. Use Ta liner in E-beam guns. Low Melting Point materials not ideal for sputtering.
Tin OxideSnO2۱,۶۳۰S۶.۹۵**۱.۰۰--~۱,۰۰۰Excellent-WWWQ, Al2O3RF, RF-RFilms from W are oxygen deficient; oxidize in air.
Tin SelenideSnSe۸۶۱-۶.۱۸---~۴۰۰Good----QRF-
Tin SulfideSnS۸۸۲-۵.۲۲---~۴۵۰-----QRF-
Tin TellurideSnTe۷۸۰D۶.۴۸---~۴۵۰-----QRF-
TitaniumTi۱,۶۶۰-۴.۵۰.۶۲۸۱,۰۶۷۱,۲۳۵۱,۴۵۳ExcellentFabmate®W--TiCDCAlloys with W/Ta/Mo; evolves gas on first heating.
Titanium (II) OxideTiO۱,۷۵۰-۴.۹۳**۱.۰۰--~۱,۵۰۰GoodFabmate®, TantalumW, Mo--VitCRFPreheat gently to outgas.
Titanium (III) OxideTi2O3۲,۱۳۰D۴.۶----GoodFabmate®, TantalumW---RFDecomposes.
Titanium (IV) OxideTiO2۱,۸۳۰-۴.۲۶۰.۴--~۱,۳۰۰FairFabmate®, TantalumW, Mo-W-RF, RF-RSuboxide, must be reoxidized to rutile. Ta reduces TiO2 to TiO and Ti.
Titanium BorideTiB2۲,۹۰۰-۴.۵**۱.۰۰---Poor-----RF-
Titanium CarbideTiC۳,۱۴۰-۴.۹۳**۱.۰۰--~۲,۳۰۰------RF-
Titanium NitrideTiN۲,۹۳۰-۵.۲۲**۱.۰۰---GoodMolybdenumMo---RF, RF-RSputtering preferred. Decomposes with thermal evaporation.
TungstenW۳,۴۱۰-۱۹.۳۵۰.۱۶۳۲,۱۱۷۲,۴۰۷۲,۷۵۷GoodDirect in Hearth----DCForms volatile oxides. Films hard and adherent.
Tungsten BorideWB2~۲,۹۰۰-۱۰.۷۷----Poor-----RF-
Tungsten CarbideWC۲,۸۶۰-۱۷.۱۵۰.۱۵۱۱,۴۸۰۱,۷۲۰۲,۱۲۰ExcellentGraphite, Fabmate®C---RF-
Tungsten DisulfideWS2۱,۲۵۰D۷.۵**۱.۰۰---------RF-
Tungsten OxideWO3۱,۴۷۳S۷.۱۶**۱.۰۰--۹۸۰GoodTungstenW---RF-RPreheat gently to outgas. W reduces oxide slightly.
Tungsten SelenideWSe2--۹----------RF-
Tungsten SilicideWSi2>۹۰۰-۹.۴**۱.۰۰---------RF-
Tungsten TellurideWTe2--۹.۴۹---------QRF-
UraniumU۱,۱۳۲-۱۹.۰۵-۱,۱۳۲۱,۳۲۷۱,۵۸۲Good-Mo, WWW--Films oxidize.
Uranium (II) SulfideUS>۲,۰۰۰-۱۰.۸۷------------
Uranium (III) OxideU2O3۱,۳۰۰D۸.۳------W-W-RF-RDisproportionates at 1,300°C to UO2.
Uranium (IV) OxideUO2۲,۸۷۸-۱۰.۹۶------W-W-RFTa causes decomposition.
Uranium (IV) SulfideUS2>۱,۱۰۰-۷.۹۶------W---RFSlight decomposition.
Uranium CarbideUC2۲,۳۵۰-۱۱.۲۸---۲,۱۰۰-----CRFDecomposes.
Uranium FluorideUF4۹۶۰-۶.۷---۳۰۰--Ni---RF-
Uranium PhosphideUP2--۸.۵۷---۱,۲۰۰--Ta---RFDecomposes.
VanadiumV۱,۸۹۰-۵.۹۶۰.۵۳۱,۱۶۲۱,۳۳۲۱,۵۴۷ExcellentTungstenW, Mo---DCWets Mo. E-beam-evaporated films preferred.
Vanadium (IV) OxideVO2۱,۹۶۷S۴.۳۴---~۵۷۵------RF, RF-RSputtering preferred.
Vanadium (V) OxideV2O5۶۹۰D۳.۳۶**۱.۰۰--~۵۰۰-----QRF-
Vanadium BorideVB2۲,۴۰۰-۵.۱----------RF-
Vanadium CarbideVC۲,۸۱۰-۵.۷۷**۱.۰۰--~۱,۸۰۰------RF-
Vanadium NitrideVN۲,۳۲۰-۶.۱۳----------RF, RF-R-
Vanadium SilicideVSi2۱,۷۰۰-۴.۴۲----------RF-
YtterbiumYb۸۱۹S۶.۹۶۱.۱۳۵۲۰۵۹۰۶۹۰GoodTantalumTa-----
Ytterbium FluorideYbF3۱,۱۵۷-----~۸۰۰-Tantalum, MolybdenumMo---RF-
Ytterbium OxideYb2O3۲,۳۴۶S۹.۱۷**۱.۰۰--~۱,۵۰۰------RF, RF-RLoses oxygen.
YttriumY۱,۵۲۲-۴.۴۷۰.۸۳۵۸۳۰۹۷۳۱,۱۵۷ExcellentTungstenW, TaWWAl2O3RF, DCHigh Ta solubility.
Yttrium Aluminum OxideY3Al5O12۱,۹۹۰------Good--WW-RFFilms not ferroelectric.
Yttrium FluorideYF3۱,۳۸۷-۴.۰۱-----Tantalum, Molybdenum----RF-
Yttrium OxideY2O3۲,۴۱۰-۵.۰۱**۱.۰۰--~۲,۰۰۰GoodFabmate®, Graphite, TungstenW--CRF, RF-RLoses oxygen; films smooth and clear.
ZincZn۴۲۰-۷.۱۴۰.۵۱۴۱۲۷۱۷۷۲۵۰ExcellentFabmate®, Graphite, TungstenMo, W, TaWWAl2O3, QDCEvaporates well under wide range of conditions.
Zinc AntimonideZn3Sb2۵۷۰-۶.۳۳----------RF-
Zinc BromideZnBr2۳۹۴-۴.۲---~۳۰۰--W--CRFDecomposes.
Zinc FluorideZnF2۸۷۲-۴.۹۵---~۸۰۰--Ta--QRF-
Zinc NitrideZn3N2--۶.۲۲------Mo---RFDecomposes.
Zinc OxideZnO۱,۹۷۵-۵.۶۱۰.۵۵۶--~۱,۸۰۰Fair-----RF-R-
Zinc SelenideZnSe>۱,۱۰۰-۵.۴۲۰.۷۲۲--۶۶۰-Tantalum, MolybdenumTa, W, MoW, MoW, MoQRFPreheat gently to outgas. Evaporates well.
Zinc SulfideZnS۱,۷۰۰S۳.۹۸۰.۷۷۵--~۸۰۰GoodTantalum, MolybdenumTa, Mo---RFPreheat gently to outgas. Films partially decompose. n=2.356.
Zinc TellurideZnTe۱,۲۳۹-۶.۳۴۰.۷۷--~۶۰۰--Mo, Ta---RFPreheat gently to outgas.
ZirconiumZr۱,۸۵۲-۶.۴۹۰.۶۱,۴۷۷۱,۷۰۲۱,۹۸۷Excellent-W---DCAlloys with W. Films oxidize readily.
Zirconium BorideZrB2~۳,۲۰۰-۶.۰۹----Good-----RF-
Zirconium CarbideZrC۳,۵۴۰-۶.۷۳۰.۲۶۴--~۲,۵۰۰------RF-
Zirconium NitrideZrN۲,۹۸۰-۷.۰۹**۱.۰۰---------RF, RF-RReactively evaporate in 10-3 Torr N2.
Zirconium OxideZrO2~۲,۷۰۰-۵.۸۹**۱.۰۰--~۲,۲۰۰GoodGraphite, TungstenW---RF, RF-RFilms oxygen deficient, clear and hard.
Zirconium SilicateZrSiO4۲,۵۵۰-۴.۵۶----------RF-
Zirconium SilicideZrSi2۱,۷۰۰-۴.۸۸----------RF-
Reference:www.lesker.com