بلاگ

مناسب‌ترین ضخامت پوشش رسانا برای میکروسکوپ الکترونی به پارامترهای مختلفی از جمله ساختار نمونه، ماده لایه‌نشانی انتخاب شده و آنالیز مورد نظر بستگی دارد.

نگهداری صحیح محفظه پوشش‌دهی خلاء می‌تواند خلوص لایه نازک و عملکرد سیستم پوشش‌دهی را بهبود بخشد. انتخاب روش‌های تمیز کردن محفظه خلاء به عوامل مختلفی بستگی دارد.

کندوپاش بایاس یا اسپاترینگ بایاس روشی مفید برای بهبود خلوص لایه نازک و ایجاد ویژگی‌های مطلوب با اعمال ولتاژ بایاس به زیرلایه در حین فرآیند لایه‌نشانی کندوپاشی می‌باشد.

تصویربرداری با میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) روشی پیشرفته برای مشاهده ساختارهای زیرنانومتری با وضوح بالا و انجام تحلیل ساختاری و عنصری مواد بیولوژیکی می‌باشد.

کندوپاش مگنترون نوعی لایه‌نشانی اسپاترینگ است که در آن از یک کاتد مگنترون برای افزایش برخورد یون-هدف استفاده می‌شود تا سرعت کندوپاش و لایه‌نشانی افزایش یابد.

کندوپاش جریان مستقیم روشی متداول برای لایه‌نشانی مواد رسانا است که در آماده سازی نمونه‌های میکروسکوپ الکترونی و اتصالات الکتریکی مورد استفاده قرار می‌گیرد.

پوشش‌دهی PVD در اپتوالکترونیک، امکان تولید لایه‌های نازک یکنواخت و با خلوص بالا از فلزات و سرامیک‌ها را برای کاربردهای گوناگون مانند تشکیل اتصالات فراهم می‌کند.

لایه نشانی مواد واکنش پذیر، تشکیل یک لایه نازک از آنها بر روی زیرلایه، تحت شرایط خلاء بالا می‌باشد تا از آلودگی لایه‌ها جلوگیری شود و پوششی با کیفیت به دست آید.

کندوپاش واکنشی نوعی لایه‌نشانی اسپاترینگ است که برای تولید لایه‌های نازک از ترکیبات با ویژگی‌های مطلوب، گازهای واکنش‌دهنده در لایه‌نشانی در سیستم تزریق می‌شود.

بازار لایه‌نشانی بخار فیزیکی در سال‌های آینده به دلیل افزایش تقاضای جهانی برای ادوات پیچیده الکترونیکی، انرژی سبز به ویژه در آسیا رشد قابل توجهی خواهد داشت.

سیستم‌های یکپارچه با گلاوباکس در کاربردهایی که به محیطی بسیار کنترل‌شده سودمند هستند. این سیستم‌ها برای ساخت مواد پیشرفته برای سلول‌های خورشیدی استفاده می‌شوند.

طیف‌سنجی پراش انرژی اشعه ایکس ابزاری مفید برای تحلیل عناصر موجود در یک نمونه در حین تصویربرداری توسط میکروسکوپ الکترونی از طریق پراکندگی غیرالاستیک الکترون‌ها می‌باشد.

بازده کندوپاش عاملی مهم در فرآیندهای لایه‌های نشانی کندوپاشی است که بر راندمان فرآیند و سرعت لایه‌نشانی تاثیرگذار است و تابعی از عوامل مختلف همچون انرژی است.

سیستم‌های خلاء که مشکل نشتی دارند، نمی‌توانند به سطح خلاء موردنظر برسند و استفاده از روش‌های نشت یابی در خلاء، بسته به سطح خلاء عملیاتی، بسیار کم‌کننده هستند.

تمیز کردن روزنه‌های میکروسکوپ الکترونی که از طریق تبخیر حرارتی یا تمیز کردن با پلاسما به دست می‌آید، یک فرآیند ضروری برای داشتن تصاویر SEM/TEM با وضوح بالا است.

انتخاب ماده مناسب برای لایه نشانی نمونه‌ها، یکی از مراحل مهم در آماده‌سازی نمونه‌ها برای تصویربرداری با انواع میکروسکوپ الکترونی مانند SEM ،FESEM و TEM می‌باشد.

ولتاژ خود-بایاس DC ایجاد شده در اسپاترینگ RF یا خوردگی نرخ برخورد یون‌های پلاسما به سطح هدف را افزایش می‌دهد که فشار محفظه، توان RF و ترکیب گاز فرآیند موثرند.

تاثیر فشار محفظه بر لایه‌نشانی کربن در سیستم‌های خلاء بالا (High vacuum) یا پایین (Low vacuum) متفاوت است که در نتیجه آن بر ساختار لایه نهایی نیز اثر می‌گذارد.