جدول بازده اسپاترینگ - Sputtering Yield

جدول بازده اسپاترینگ

جدول بازده اسپاترینگ حاوی اطلاعاتی راجع به بازده اسپاترینگ (میزان اتم های کنده شده از تارگت به ازای برخورد یک یون آرگون) در ولتاژ مشخص بر حسب الکترون ولت می باشد. همچنین در این جدول نرخ اسپاترینگ ماده مورد نظر بر حسب آنگسترون بر ثانیه آورده شده است. مثلا در جدول زیر از تارگت نقره (Ag) با چگالی ۱۰.۵ گرم بر سی سی به ازای برخورد هر یون آرگون در پلاسمای ایجاد شده با اختلاف پتانسیل ۶۰۰ الکترون ولت، ۳.۴ اتم کنده می شود و در هر ثانیه ۳۸۰ آنگسترون بر روی زیرلایه، لایه نشانی صورت می گیرد.

اسپاترینگ | Sputtering Deposition Method

اسپاترینگ چیست؟

دستگاه اسپاترینگ و انواع مگنترون اسپاتر کوترها

اسپاترکوترها

Target MaterialDensity (g/cc)Yield @ 600 evRate* (Å/sec)
Ag۱۰.۵۳.۴۳۸۰
Al۲.۷۱.۲۱۷۰
Al98Cu2۲.۸۲۱۷۰
Al2O3۳.۹۶۴۰
Al99Si1۲.۶۶۱۶۰
Au۱۹.۳۱۲.۸۳۲۰
Be۱.۸۵۰.۸۱۰۰
B4C۲.۵۲۲۰
BN۲.۲۵۲۰
C۲.۲۵۰.۲۲۰
Co۸.۹۱.۴۱۹۰
Cr۷.۲۱.۳۱۸۰
Cu۸.۹۲۲.۳۳۲۰
Fe۷.۸۶۱.۳۱۸۰
Ge۵.۳۵۱.۲۱۶۰
Hf۱۳.۳۱۰.۸۱۱۰
In۷.۳۸۰۰
In2O3۷.۱۸۲۰
ITO۷.۱۲۰
Ir۲۲.۴۲۱.۲۱۳۵
Mg۱.۷۴۱.۴۲۰۰
MgO۳.۵۸۲۰
Mn۷.۲۱.۳۱۸۰
Mo۱۰.۲۰.۹۱۲۰
MoS2۴.۸۴۰
MoSi2۶.۳۱۱۱۰
Nb۸.۵۷۰.۶۸۰
Ni۸.۹۱.۵۱۹۰
Ni81Fe19۸.۸۱۱۰
Ni80Cr20۸.۵۱۴۰
Ni93V7۸.۶۱۰۰
Os۲۲.۴۸۰.۹۱۲۰
Pd۱۲.۰۲۲.۴۲۷۰
Pt۲۱.۴۵۱.۶۲۰۵
Re۲۰.۵۳۰.۹۱۲۰
Rh۱۲.۴۱.۵۱۹۰
Ru۱۲.۳۱.۳۱۸۰
Si۲.۳۳۰.۵۸۰
SiC۳.۲۲۵۰
SiO2۲.۶۳۷۰
Si3N4۳.۴۴۴۰
Sn۵.۷۵۸۰۰
SnO۶.۴۵۲۰
Ta۱۶.۶۰.۶۸۵
TaN۱۶.۳۴۰
Ta2O5۸.۲۴۰
Th۱۱.۷۰.۷۸۵
Ti۴.۵۰.۶۸۰
TiN۵.۲۲۴۰
TiO2۴.۲۶۴۰
U۱۹.۰۵۱۱۵۵
V۵.۹۶۰.۷۸۵
W۱۹.۳۵۰.۶۸۰
W90Ti10۱۴.۶۸۰
WC۱۵.۶۳۵۰
Y۴.۴۷۰.۶۸۵
YBCO۵.۴۱۱۰
Zn۷.۱۴۳۴۰
ZnO۵.۶۱۴۰
ZnS۳.۹۸۱۰
Zr۶.۴۹۰.۷۸۵
ZrO2۵.۶۴۰

نوشته‌های تازه