بهینه سازی لایه نازک سلنید قلع(SnSe) برای کاربرد فتوولتاییک - کالکوژنید
بهینه سازی لایه نازک سلنید قلع(SnSe) برای کاربرد فتوولتاییک - کالکوژنید

بهینه سازی لایه نازک سلنید قلع(SnSe) برای کاربرد فتوولتاییک

با توجه به انتقال مناسب الکترونی بین ترازهای انرژی، کالکوژنید ها از خواص الکتریکی و نوری خوبی برخوردار هستند. خواص مناسب این مواد، استفاده از آن ها می تواند راه حل مشکل کمبود انرژی در زمینه های مختلف باشد. خواص عالی الکترونیکی و نوری ترکیبات باینری متشکل از فلزات واسطه(مواد کالکوژنید) موجب شده تا بسیاری از محققان تحقیقات عمیقی در زمینه کاربرد این ترکیبات در سیستم های فتوولتاییک و سلول های خورشیدی انجام دهند. در میان ترکیبات باینری گروه فلزات واسطه، سلنید قلع(SnSe) با توجه به ساختار کریستالی ویژه ای که دارد بسیار در کاربردهای گوناگون مورد توجه قرار گرفته است. SnSe یک نیمه هادی نوع P است که به علت داشتن ضریب جذب بالا امکان جذب حداکثری نور خورشید را در سلول های خورشیدی فراهم می کند. لایه نازک سلنید قلع(SnSe)، معمولا با استفاده از روش تبخیر حرارتی لایه نشانی می شود.

به منظور بهینه سازی ویژگی های الکترونیکی و نوری این ماده مطالعات فراوانی انجام شده است. اخیرا محققان چینی تاثیر ضخامت لایه نازک سلنید قلع(SnSe) و نرخ لایه نشانی به روش تبخیر حرارتی را مورد بررسی قرار داده و مقادیر بهینه این دو پارامتر را به منظور بهینه سازی ویژگی های نوری و الکترونیکی سلول های فتوولتاییک به دست آورده اند. در این مطالعه لایه نازک SnSe با استفاده از تبخیر حرارتی همزمان(Co-evaporation) قلع و سلنیوم با خلوص ۹۹.۹۹۹% ایجاد شده است. برای اطلاع از جزئیات به این لینک مراجعه نمایید.

دستگاه لایه نشانی به روش تبخیر حرارتی مدل DTT

لازم به ذکر است که دستگاه لایه نشانی به روش تبخیر حرارتی مدل DTT ساخت شرکت پوشش های نانو ساختار، مجهز به ۳ منبع تبخیر مجزا است که بسیار مناسب برای انجام Co-evaporation می باشد. استفاده از پمپ توربو مولکولار در این سیستم و عایق بندی مناسب به کار رفته در آن موجب می شود تا فشار نهایی این دستگاه در محدوده ۷-۱۰ × ۷ تور قرار بگیرد که فشار بسیار مناسبی برای انجام لایه نشانی به روش تبخیر حرارتی است. برای کسب اطلاعات بیشتر پیرامون محصولات شرکت پوشش های نانو ساختار به سایت این شرکت مراجعه نمایید.